casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TN2540N3-G-P002
codice articolo del costruttore | TN2540N3-G-P002 |
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Numero di parte futuro | FT-TN2540N3-G-P002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN2540N3-G-P002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 175mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2540N3-G-P002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TN2540N3-G-P002-FT |
ZVN4424A
Diodes Incorporated
2N7000BU
ON Semiconductor
ZVN4206A
Diodes Incorporated
BS270
ON Semiconductor
ZVN2110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN0124A
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTZ
Diodes Incorporated
VN10LP
Diodes Incorporated
ZVP2110A
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTZ
Diodes Incorporated
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel