casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / Z8F0421HH020EG
codice articolo del costruttore | Z8F0421HH020EG |
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Numero di parte futuro | FT-Z8F0421HH020EG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Encore!® XP® |
Z8F0421HH020EG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | eZ8 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 20MHz |
Connettività | I²C, IrDA, UART/USART |
periferiche | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 11 |
Dimensione della memoria del programma | 4KB (4K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 1K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 2x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Z8F0421HH020EG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | Z8F0421HH020EG-FT |
S9S12GN16F1CTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN16F1MTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN16F1VTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN16F1VTJR
NXP USA Inc.
S9S12GN16J1MTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32BMTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32BVTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32BVTJR
NXP USA Inc.
S9S12GN32F1CTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32F1CTJR
NXP USA Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3K1F40C2N
Intel
5SGXMB5R3F43I3N
Intel
A54SX32A-1BGG329
Microsemi Corporation
5CEFA4M13C7N
Intel
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel