casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / XP0C30100L
codice articolo del costruttore | XP0C30100L |
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Numero di parte futuro | FT-XP0C30100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XP0C30100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN, PNP Complementary Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz, 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini5-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP0C30100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XP0C30100L-FT |
EMT18T2R
Rohm Semiconductor
EMT51T2R
Rohm Semiconductor
EMX18T2R
Rohm Semiconductor
EMX1T2R
Rohm Semiconductor
EMX52T2R
Rohm Semiconductor
EMZ1T2R
Rohm Semiconductor
EMZ7T2R
Rohm Semiconductor
EMZ8T2R
Rohm Semiconductor
EMT3T2R
Rohm Semiconductor
EMX3T2R
Rohm Semiconductor
XC3S1000-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
Intel
5AGXBA7D6F27C6N
Intel
EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation