casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMT51T2R
codice articolo del costruttore | EMT51T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMT51T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMT51T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 350MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMT51T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMT51T2R-FT |
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1000-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
Intel
5AGXBA7D6F27C6N
Intel
EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation