casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / XP0B30100L
codice articolo del costruttore | XP0B30100L |
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Numero di parte futuro | FT-XP0B30100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XP0B30100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN, PNP Complementary Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz, 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini5-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP0B30100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XP0B30100L-FT |
EMZ51T2R
Rohm Semiconductor
EMT18T2R
Rohm Semiconductor
EMT51T2R
Rohm Semiconductor
EMX18T2R
Rohm Semiconductor
EMX1T2R
Rohm Semiconductor
EMX52T2R
Rohm Semiconductor
EMZ1T2R
Rohm Semiconductor
EMZ7T2R
Rohm Semiconductor
EMZ8T2R
Rohm Semiconductor
EMT3T2R
Rohm Semiconductor