casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W25Q40BWSNIG
codice articolo del costruttore | W25Q40BWSNIG |
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Numero di parte futuro | FT-W25Q40BWSNIG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q40BWSNIG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 800µs |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q40BWSNIG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W25Q40BWSNIG-FT |
N25Q064A11ESE40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESE40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESECFE
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESECFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0F TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel