casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N25Q064A13ESE40E
codice articolo del costruttore | N25Q064A13ESE40E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-N25Q064A13ESE40E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q064A13ESE40E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (16M x 4) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q064A13ESE40E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N25Q064A13ESE40E-FT |
M25P80-VMW6TGBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25PE16-VMW6G
Micron Technology Inc.
M25PE16-VMW6TG TR
Micron Technology Inc.
M25PE20-VMN6P
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel