casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N25Q064A11ESE40G
codice articolo del costruttore | N25Q064A11ESE40G |
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Numero di parte futuro | FT-N25Q064A11ESE40G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q064A11ESE40G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (16M x 4) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q064A11ESE40G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N25Q064A11ESE40G-FT |
M25P80-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6G
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TGBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel