casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W25Q40BWSNIG TR
codice articolo del costruttore | W25Q40BWSNIG TR |
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Numero di parte futuro | FT-W25Q40BWSNIG TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q40BWSNIG TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 800µs |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q40BWSNIG TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W25Q40BWSNIG TR-FT |
N25Q064A11ESE40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESECFE
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESECFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0G
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel