casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO25-12NO8
codice articolo del costruttore | VUO25-12NO8 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO25-12NO8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO25-12NO8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 5-Square, FO-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO25-12NO8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO25-12NO8-FT |
GBJ2506-BP
Micro Commercial Co
GBJ1004-BP
Micro Commercial Co
GBJ3508-BP
Micro Commercial Co
GBJ1508-BP
Micro Commercial Co
GBJ1506-BP
Micro Commercial Co
GBJ3504-BP
Micro Commercial Co
GBJ1001-BP
Micro Commercial Co
GBJ35005-BP
Micro Commercial Co
GBJ1008-BP
Micro Commercial Co
GBJ2010-BP
Micro Commercial Co
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation