casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ1506-BP
codice articolo del costruttore | GBJ1506-BP |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBJ1506-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1506-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 7.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1506-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ1506-BP-FT |
MB82
Micro Commercial Co
MB82-BP
Micro Commercial Co
MB84
Micro Commercial Co
MB84-BP
Micro Commercial Co
MB86
Micro Commercial Co
MB86-BP
Micro Commercial Co
MB88
Micro Commercial Co
MD50S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD75S16M4-BP
Micro Commercial Co
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel