casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ3508-BP
codice articolo del costruttore | GBJ3508-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ3508-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ3508-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3508-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ3508-BP-FT |
MB810
Micro Commercial Co
MB810-BP
Micro Commercial Co
MB82
Micro Commercial Co
MB82-BP
Micro Commercial Co
MB84
Micro Commercial Co
MB84-BP
Micro Commercial Co
MB86
Micro Commercial Co
MB86-BP
Micro Commercial Co
MB88
Micro Commercial Co
MD50S16M4-BP
Micro Commercial Co
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel