casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO122-16NO7
codice articolo del costruttore | VUO122-16NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO122-16NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO122-16NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 117A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ECO-PAC2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ECO-PAC2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO122-16NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO122-16NO7-FT |
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FBS10-06SC
IXYS
GBO25-12NO1
IXYS
GBO25-16NO1
IXYS
GUO40-16NO1
IXYS
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel