casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBO25-16NO1
codice articolo del costruttore | GBO25-16NO1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBO25-16NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBO25-16NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBO |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBO25-16NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBO25-16NO1-FT |
CBR1F-020
Central Semiconductor Corp
CBR1F-100
Central Semiconductor Corp
CBR1-D060S TR13
Central Semiconductor Corp
CDTO269-BR1190L
Bourns Inc.
CDTO269-BR1380L
Bourns Inc.
CDNBS04-B08400
Bourns Inc.
CDNBS04-B08600
Bourns Inc.
CDNBS04-B08800
Bourns Inc.
CD-MBL106S
Bourns Inc.
CD-DF410S
Bourns Inc.
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation