casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBO25-16NO1
codice articolo del costruttore | GBO25-16NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-GBO25-16NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBO25-16NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBO |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBO25-16NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBO25-16NO1-FT |
CBR1F-020
Central Semiconductor Corp
CBR1F-100
Central Semiconductor Corp
CBR1-D060S TR13
Central Semiconductor Corp
CDTO269-BR1190L
Bourns Inc.
CDTO269-BR1380L
Bourns Inc.
CDNBS04-B08400
Bourns Inc.
CDNBS04-B08600
Bourns Inc.
CDNBS04-B08800
Bourns Inc.
CD-MBL106S
Bourns Inc.
CD-DF410S
Bourns Inc.
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel