casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / APTDF200H170G
codice articolo del costruttore | APTDF200H170G |
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Numero di parte futuro | FT-APTDF200H170G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTDF200H170G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.7kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 240A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 200A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 1700V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTDF200H170G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTDF200H170G-FT |
CBR1-D080
Central Semiconductor Corp
CBR25-020P
Central Semiconductor Corp
CBR25-040P
Central Semiconductor Corp
CBR35-010P
Central Semiconductor Corp
CBR35-060P
Central Semiconductor Corp
CBR2-060
Central Semiconductor Corp
CBR1F-060
Central Semiconductor Corp
CBR1F-040
Central Semiconductor Corp
CBR1F-020
Central Semiconductor Corp
CBR1F-100
Central Semiconductor Corp
M1A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel