casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUB120-12NO2
codice articolo del costruttore | VUB120-12NO2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VUB120-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB120-12NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 188A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V2-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB120-12NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUB120-12NO2-FT |
MSD30-18
Microsemi Corporation
MSD50-18
Microsemi Corporation
MSD52-18
Microsemi Corporation
MSD75-18
Microsemi Corporation
MSDM100-08
Microsemi Corporation
MSDM100-18
Microsemi Corporation
MSDM150-08
Microsemi Corporation
MSDM150-12
Microsemi Corporation
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel