casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MSD50-18
codice articolo del costruttore | MSD50-18 |
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Numero di parte futuro | FT-MSD50-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSD50-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 100A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | M1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSD50-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSD50-18-FT |
KBPM2005G
GeneSiC Semiconductor
KBPM201G
GeneSiC Semiconductor
KBPM202G
GeneSiC Semiconductor
KBPM204G
GeneSiC Semiconductor
KBPM206G
GeneSiC Semiconductor
KBPM208G
GeneSiC Semiconductor
KBPM210G
GeneSiC Semiconductor
KBPM3005G
GeneSiC Semiconductor
KBPM301G
GeneSiC Semiconductor
KBPM302G
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQ100
Microsemi Corporation
M1A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
LFE2M50E-5F672C
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LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C5N
Intel
EPF10K30AQI240-3N
Intel