casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MSDM150-16
codice articolo del costruttore | MSDM150-16 |
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Numero di parte futuro | FT-MSDM150-16 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSDM150-16 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | M3-1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M3-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSDM150-16 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSDM150-16-FT |
KBPM3005G
GeneSiC Semiconductor
KBPM301G
GeneSiC Semiconductor
KBPM302G
GeneSiC Semiconductor
KBPM304G
GeneSiC Semiconductor
KBPM306G
GeneSiC Semiconductor
KBPM308G
GeneSiC Semiconductor
KBPM310G
GeneSiC Semiconductor
KBU1001G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1002G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1003G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel