casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSB7L45-M3/5BT
codice articolo del costruttore | VSSB7L45-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-VSSB7L45-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSB7L45-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 430mV @ 3.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.6mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 1068pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB7L45-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSB7L45-M3/5BT-FT |
S2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel