casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S2B-M3/5BT
codice articolo del costruttore | S2B-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-S2B-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2B-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2B-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S2B-M3/5BT-FT |
SS25-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43L-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS140-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB420S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel