casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S2G-M3/52T
codice articolo del costruttore | S2G-M3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-S2G-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2G-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2G-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S2G-M3/52T-FT |
ES2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2K-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20BQ030HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ030-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel