casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF510-M3/H
codice articolo del costruttore | VSSAF510-M3/H |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VSSAF510-M3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF510-M3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 440pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF510-M3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF510-M3/H-FT |
BYM13-20HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-40HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-40HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-50-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-50HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-60-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.