casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSB20L45-M3/54
codice articolo del costruttore | VSB20L45-M3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-VSB20L45-M3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VSB20L45-M3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 390mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 2470pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | P600, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSB20L45-M3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSB20L45-M3/54-FT |
BAV20W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel