casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV21W-G3-08
codice articolo del costruttore | BAV21W-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV21W-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV21W-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21W-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV21W-G3-08-FT |
V20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel