casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV20W-E3-18
codice articolo del costruttore | BAV20W-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV20W-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV20W-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV20W-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV20W-E3-18-FT |
MBR1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1030-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1030HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel