casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSB2045-M3/73
codice articolo del costruttore | VSB2045-M3/73 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VSB2045-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSB2045-M3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 2050pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | P600, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSB2045-M3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSB2045-M3/73-FT |
BAV19W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel