casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-VSKE91/14
codice articolo del costruttore | VS-VSKE91/14 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKE91/14 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKE91/14 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 1400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3) |
Pacchetto dispositivo fornitore | ADD-A-PAK® |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKE91/14 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKE91/14-FT |
DSS20-01AC
IXYS
EGL41AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation