casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGL41BHE3_A/I
codice articolo del costruttore | EGL41BHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-EGL41BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
EGL41BHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL41BHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGL41BHE3_A/I-FT |
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel