casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD71/10
codice articolo del costruttore | VS-VSKD71/10 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD71/10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD71/10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3) |
Pacchetto dispositivo fornitore | ADD-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD71/10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD71/10-FT |
MBRB30H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1640CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1640CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB25L30CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel