casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD71/10
codice articolo del costruttore | VS-VSKD71/10 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD71/10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD71/10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3) |
Pacchetto dispositivo fornitore | ADD-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD71/10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD71/10-FT |
MBRB30H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1640CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1640CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB25L30CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel