casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB30H60CTHE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB30H60CTHE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB30H60CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB30H60CTHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H60CTHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB30H60CTHE3_A/P-FT |
MBR30H100CT-G1
Diodes Incorporated
SBRT40M80CTB
Diodes Incorporated
CD412099C
Powerex Inc.
CD412299C
Powerex Inc.
SCPA4F
Semtech Corporation
DDB6U104N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U144N16RBOSA1
Infineon Technologies
JANTXV1N4148UBCC
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBD
Microsemi Corporation
VS-VSUD400CW20
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel