casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MF10H100CTHE3_A/P
codice articolo del costruttore | MF10H100CTHE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MF10H100CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MF10H100CTHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF10H100CTHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MF10H100CTHE3_A/P-FT |
SBRT40M80CTB
Diodes Incorporated
CD412099C
Powerex Inc.
CD412299C
Powerex Inc.
SCPA4F
Semtech Corporation
DDB6U104N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U144N16RBOSA1
Infineon Technologies
JANTXV1N4148UBCC
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBD
Microsemi Corporation
VS-VSUD400CW20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSUD400CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel