casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD56/12
codice articolo del costruttore | VS-VSKD56/12 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD56/12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD56/12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3) |
Pacchetto dispositivo fornitore | ADD-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD56/12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD56/12-FT |
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MF20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel