casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA08TB60S-M3
codice articolo del costruttore | VS-HFA08TB60S-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-HFA08TB60S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA08TB60S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 55ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA08TB60S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA08TB60S-M3-FT |
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW75-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148-P-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT81S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW76-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel