casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT81S-TR
codice articolo del costruttore | BAT81S-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BAT81S-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT81S-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT81S-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT81S-TR-FT |
GL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34K-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200/32
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel