casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAW27-TAP
codice articolo del costruttore | BAW27-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAW27-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW27-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 600mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 400mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW27-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW27-TAP-FT |
BYM07-300-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34K-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200/32
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel