casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP50R12N2T4B16BOSA1
codice articolo del costruttore | FP50R12N2T4B16BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP50R12N2T4B16BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP50R12N2T4B16BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R12N2T4B16BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP50R12N2T4B16BOSA1-FT |
GSID150A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID200A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A125S5C1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S1-E1
Global Power Technologies Group
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
APTGT50H120T3G
Microsemi Corporation
FP7G75US60
ON Semiconductor
FP7G50US60
ON Semiconductor
FP7G100US60
ON Semiconductor
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FGG320C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
5AGXFB7H4F35I5
Intel