casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP40R12KE3GBOSA1
codice articolo del costruttore | FP40R12KE3GBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP40R12KE3GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP40R12KE3GBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP40R12KE3GBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP40R12KE3GBOSA1-FT |
GHIS040A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID150A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID200A120S5C1
Global Power Technologies Group
XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FG484C
Xilinx Inc.
AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.