casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-ETU1506STRL-M3
codice articolo del costruttore | VS-ETU1506STRL-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-ETU1506STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-ETU1506STRL-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 210ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETU1506STRL-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ETU1506STRL-M3-FT |
VB20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation