casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-ETL1506STRLHM3
codice articolo del costruttore | VS-ETL1506STRLHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-ETL1506STRLHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-ETL1506STRLHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 210ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETL1506STRLHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ETL1506STRLHM3-FT |
VB10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel