casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-ETH3006STRLHM3
codice articolo del costruttore | VS-ETH3006STRLHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-ETH3006STRLHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-ETH3006STRLHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.65V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 26ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETH3006STRLHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ETH3006STRLHM3-FT |
MBRB1090-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel