casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VB10150S-E3/4W
codice articolo del costruttore | VB10150S-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB10150S-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB10150S-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB10150S-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB10150S-E3/4W-FT |
VS-MURB1520-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB3045S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel