casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-E5TX3012-N3
codice articolo del costruttore | VS-E5TX3012-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-E5TX3012-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-E5TX3012-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.15V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-E5TX3012-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-E5TX3012-N3-FT |
85EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100BGQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100BGQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-85EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4448-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ335-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV301-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL101C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel