casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8TQ080STRRHM3
codice articolo del costruttore | VS-8TQ080STRRHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8TQ080STRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-8TQ080STRRHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 550µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ080STRRHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8TQ080STRRHM3-FT |
VS-20ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel