casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-20ETS12STRR-M3
codice articolo del costruttore | VS-20ETS12STRR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20ETS12STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETS12STRR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETS12STRR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20ETS12STRR-M3-FT |
VS-30ETH06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel