casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-25ETS12S-M3
codice articolo del costruttore | VS-25ETS12S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-25ETS12S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-25ETS12S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-25ETS12S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-25ETS12S-M3-FT |
VS-8ETL06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel