casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8TQ080STRR-M3
codice articolo del costruttore | VS-8TQ080STRR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8TQ080STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-8TQ080STRR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 550µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ080STRR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8TQ080STRR-M3-FT |
VS-20ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel