casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8ETX06-M3
codice articolo del costruttore | VS-8ETX06-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8ETX06-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-8ETX06-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 24ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8ETX06-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8ETX06-M3-FT |
MCL4448-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS385-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS385-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel