casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V3PAN50-M3/I
codice articolo del costruttore | V3PAN50-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V3PAN50-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V3PAN50-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 540mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 480pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221BC (SMPA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3PAN50-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V3PAN50-M3/I-FT |
RMPG06BHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06BHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06DHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06DHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06DHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06G-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel