casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS385-TR
codice articolo del costruttore | BAS385-TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS385-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS385-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.3µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS385-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS385-TR-FT |
RMPG06J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06G-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3_A/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06B-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06BHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06BHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel