casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-83CNQ080ASMPBF
codice articolo del costruttore | VS-83CNQ080ASMPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-83CNQ080ASMPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-83CNQ080ASMPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 40A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.5mA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | D-61-8-SM |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-61-8-SM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-83CNQ080ASMPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-83CNQ080ASMPBF-FT |
VS-16CTQ060G-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ080G-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100G-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150-1-011P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel